一、產(chǎn)品介紹：

CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實(shí)現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)，科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價(jià)比高，易維護(hù)，處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。具體包括：

u 介電材料（SiO2、SiNx等）

u 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

u III-V材料（GaAs、InP、GaN等）

u 濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W等）

u 類金剛石（DLC）     

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

u 7寸彩色觸摸屏互動操作界面，圖形化用戶操作界面顯示，自動監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài)，20個(gè)配方程序，可存儲、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù)，機(jī)器運(yùn)行、停止提示。

u PLC工控機(jī)控制整個(gè)清洗過程，手動、自動兩種工作模式。

u 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無污染。

u 采用防腐數(shù)字流量計(jì)，實(shí)現(xiàn)對氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，氣體分配均勻?？奢斎?/span>氧氣、氬氣、氮?dú)狻⑺姆肌錃饣蚧旌蠚?/span>等氣體。

u 采用花灑式多孔進(jìn)氣方式，改變傳統(tǒng)等離子清洗機(jī)單孔進(jìn)氣不均勻問題。

u HEPA高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。

u 符合人體功能學(xué)的60度傾角操作界面設(shè)計(jì)，操作方便，界面友好。

u 采用頂置真空倉，上開蓋設(shè)計(jì)，下壓式鉸鏈開關(guān)方式。

u 上置式360度水平取放樣品設(shè)計(jì)，符合人體功能學(xué)，操作更方便。

u 有效處理面積大，可處理直徑200mm晶元硅片。

u 安全保護(hù)，倉門打開，自動關(guān)閉電源。

三、技術(shù)參數(shù)